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公开(公告)号：CN1969386B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200580010346.9
申请日：2005-01-18
Applicant: 汉阳大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN108028239A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680048590.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/40 , H01L23/373 , H01L23/48
CPC classification number: H01L23/367 , H01L23/3738 , H01L23/40 , H01L23/492 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/73259 , H01L2924/15153
Abstract: 提供了一种制造半导体封装结构的方法。所述结构被配置为包括：基底基板；管芯，置于基底基板上，管芯包括半导体器件；焊料凸起，置于管芯的一个表面上以将管芯中产生的热向外部排出；以及焊球，置于管芯的面向所述一个表面的另一表面上，以向外部器件传输由管芯的半导体器件产生的信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108028239B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201680048590.2
申请日：2016-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/488 , H01L23/40 , H01L23/373 , H01L23/48
Abstract: 提供了一种制造半导体封装结构的方法。所述结构被配置为包括：基底基板；管芯，置于基底基板上，管芯包括半导体器件；焊料凸起，置于管芯的一个表面上以将管芯中产生的热向外部排出；以及焊球，置于管芯的面向所述一个表面的另一表面上，以向外部器件传输由管芯的半导体器件产生的信号。
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公开(公告)号：CN112117262A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010565667.1
申请日：2020-06-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L23/552 , H01L23/66 , H01L23/31 , H01Q1/22
Abstract: 一种半导体封装件包括：衬底；半导体芯片，其设置在衬底的第一表面上；焊料凸块，其设置在半导体芯片的第一表面与衬底之间；以及再分布层，其设置在半导体芯片的与第一表面相对的第二表面上。衬底包括衬底图案，并且衬底图案覆盖衬底的第二表面。衬底图案覆盖衬底的第二表面的总面积的60％至100％。
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公开(公告)号：CN100565885C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200580047811.6
申请日：2005-09-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1-xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。
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公开(公告)号：CN101133494A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200580047811.6
申请日：2005-09-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0016 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器件及其制造方法，该器件使用嵌入到没有源极和漏极区域的聚合物薄膜中的多层自组装Ni1－xFex纳米晶体阵列。根据本发明可以比现有方法更简单地制造纳米晶体。更具体地，可以控制纳米晶体的尺寸和密度，而不需要晶体的结块，因为具有一致分布的晶体被聚合物层包围。此外，本发明提供了非易失性双稳态存储器件，具有比现有的具有纳米浮栅的闪存存储器件更高效率和更低成本的化学的和电的稳定性。另外，在本发明的器件中，源极和漏极区不是必需的，这可以减少生产时间和成本。
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公开(公告)号：CN1969386A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580010346.9
申请日：2005-01-18
Applicant: 汉阳大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。
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