图像传感器和制造该图像传感器的方法

    公开(公告)号:CN119028997A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202410617117.8

    申请日:2024-05-17

    Abstract: 公开了一种图像传感器和一种制造图像传感器的方法。该图像传感器包括半导体衬底,半导体衬底包括像素、第一表面和与第一表面相对的第二表面。沟槽隔离层设置在穿透半导体衬底的第一表面和第二表面的沟槽中,并且将像素彼此分离。微透镜设置在第二表面上,其中,沟槽隔离层包括在从第一表面到第二表面的方向上延伸的第一导电隔离层。绝缘衬垫设置在第一导电隔离层与半导体衬底之间。第二导电隔离层在从第二表面到第一表面的方向上延伸,第二导电隔离层与第一导电隔离层接触。

Patent Agency Ranking