公开(公告)号：CN115497948A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210684684.6

申请日：2022-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  林濬熙 ,  金鹤善 ,  孙洛辰 ,  金政垠 ,  闵柱盛 ,  李昌宪

IPC: H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括：包括外围电路的下部水平层；和提供在下部水平层上的上部水平层，该上部水平层包括垂直地延伸的存储单元串，其中下部水平层包括：第一基板；器件隔离层，限定第一基板的第一有源区；以及第一栅极结构，包括依次堆叠在第一有源区上的第一栅极绝缘图案、第一导电图案、第一金属图案和第一覆盖图案，其中第一导电图案包括掺杂的半导体材料，器件隔离层覆盖第一导电图案的第一侧表面，并且第一金属图案包括在第一导电图案上的第一主体部分。

公开(公告)号：CN113809092A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110654337.4

申请日：2021-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  权永振 ,  金政垠 ,  朴昞坤 ,  赵晟元

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且水平层中的每个包括栅电极；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构，垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层，介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；接触结构，位于垂直结构上；以及导电线，位于接触结构上。

公开(公告)号：CN215578559U

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202121328315.0

申请日：2021-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金俊亨 ,  权永振 ,  金政垠 ,  朴昞坤 ,  赵晟元

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了存储器装置和包括存储器装置的存储系统。所述存储器装置包括：下结构；堆叠结构，位于下结构上，堆叠结构包括沿竖直方向交替地堆叠的水平层和层间绝缘层，并且水平层中的每个包括栅电极；垂直结构，沿竖直方向穿透堆叠结构，垂直结构具有核心区、位于核心区上的具有垫金属图案的垫图案、介电结构以及位于介电结构与核心区之间的沟道层，介电结构包括面对核心区的侧表面的第一部分、面对垫金属图案的侧表面的至少一部分的第二部分以及数据存储层；接触结构，位于垂直结构上；以及导电线，位于接触结构上。因此，可以改善存储器装置的生产率、可靠性和电特性。