公开(公告)号：CN1164761A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN96113405.4

申请日：1996-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李辉健 ,  文大植 ,  金成经 ,  金敬勋 ,  郭奎焕

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。

公开(公告)号：CN1132232C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN96113405.4

申请日：1996-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李辉健 ,  文大植 ,  金成经 ,  金敬勋 ,  郭奎焕

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及半导体器件制造工艺中用等离子体选择蚀刻圆片上的载硅层，它包括：采用混合气体作为供应气体，混合气体由含氯或氟的蚀刻气体和另一种在等离子体放电时产生碳烯结构中间生成物的气体混合物组成；在断面的载硅层受蚀刻的侧壁上形成在等离子体状态下产生的聚合物，该聚合物为所述中间生成物的混合材料。因此，本发明的蚀刻层断面足以用来制造要求高集成度和超细线条的半导体器件，从而可以制取高容量、高功能的半导体器件。