公开(公告)号：CN113972212A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110830313.X

申请日：2021-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金惠远 ,  金恩靓 ,  成金重 ,  崔宰福

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244 ,  H01L21/762

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元区、外围区和单元区与外围区之间的边界区；单元器件隔离图案，其位于衬底的单元区上，以限定单元有源图案；外围器件隔离图案，其位于衬底的外围区上，以限定外围有源图案；以及绝缘隔离图案，其位于衬底的边界区上，所述绝缘隔离图案在单元有源图案与外围有源图案之间，其中，绝缘隔离图案的底表面包括：第一边缘，其邻近于单元有源图案中对应的一个的侧表面，以及第二边缘，其邻近于外围有源图案中对应的一个的侧表面，当从衬底的底表面测量时，第一边缘位于低于第二边缘的高度。

公开(公告)号：CN113889455A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110742338.4

申请日：2021-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金惠远 ,  柳成然

IPC: H01L23/50 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/12

Abstract: 一种半导体器件包括：多个第一导电图案，在基板上在第一方向上平行地延伸；多个第二导电图案，在基板上在与第一方向交叉的第二方向上平行地延伸；多个掩埋接触，在所述多个第一导电图案之间和在所述多个第二导电图案之间连接到基板；以及着陆焊盘，在所述多个掩埋接触上连接到每个掩埋接触。着陆焊盘包括在平面图中在第一方向上延伸的第一侧表面以及在平面图中在第三方向上延伸的第二侧表面。在平面图中，第三方向不同于第一方向和第二方向。

公开(公告)号：CN115274648A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210053083.5

申请日：2022-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩靓 ,  金惠远 ,  崔世领

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/108

Abstract: 提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括单元区域、外围区域以及在单元区域与外围区域之间的边界区域；单元有源图案，在基底的单元区域上；外围有源图案，在基底的外围区域上；边界绝缘图案，设置在基底的边界区域上并且设置在单元有源图案与外围有源图案之间；以及缓冲图案，设置在基底的单元区域上并且设置在边界绝缘图案与单元有源图案之间。缓冲图案在与基底的顶表面平行的第一方向上的宽度可以大于每个单元有源图案在第一方向上的宽度。