Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"金多希" Page 1

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发明公开
集成电路器件审中-公开

公开(公告)号：CN119947127A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411069213.X

申请日：2024-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金世渶 , 金多希 , 宋鸿善 , 李旺坤 , 郑淑真 , 金范宗

IPC: H10D1/68

Abstract: 提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：下电极；位于所述下电极上的电介质层；面向所述下电极的上电极，所述电介质层位于所述上电极与所述下电极之间；以及位于所述电介质层与所述上电极之间的界面结构，其中，所述界面结构包括：第一界面层和第二界面层以及位于所述第一界面层与所述第二界面层之间的高带隙界面层，其中，所述高带隙界面层的第三带隙大于所述第一界面层的第一带隙并且大于所述第二界面层的第二带隙。

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