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公开(公告)号:CN103048876A
公开(公告)日:2013-04-17
申请号:CN201210383423.7
申请日:2012-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/56 , G03F7/20 , H01L21/033
CPC classification number: H01L21/32139 , G03F7/0392 , G03F7/095 , G03F7/2022 , G03F7/203 , H01L21/0274
Abstract: 本发明涉及一种形成半导体器件的图案的方法,该方法包括:形成包括光致产酸剂和光致产碱剂的光致抗蚀剂层;通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸;以及通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱,并且中和酸。该方法还包括:在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层,并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层,以形成脱封的光致抗蚀剂层;以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号:CN100504621C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200510009433.4
申请日:2005-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D7/266 , C11D11/0047
Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羟基-2-丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯或其混合物。
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公开(公告)号:CN1655065A
公开(公告)日:2005-08-17
申请号:CN200510009433.4
申请日:2005-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: C11D7/266 , C11D11/0047
Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2-羟基-2-丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3-乙氧基丙酸酯或其混合物。
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