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公开(公告)号：CN118076181A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311558071.9
申请日：2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K65/00 , H10K39/34 , H10K59/35 , H10K59/12 , H10K30/60 , H10K30/20 , H10K30/80 , H10K30/81 , H10K30/85 , G06V40/40 , H10K101/40
Abstract: 公开传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述传感器嵌入式显示面板包括光发射元件和传感器，所述光发射元件和传感器包括包含空穴传输材料的第一公共辅助层和包含电子传输材料的第二公共辅助层的单独的部分。所述传感器包括第一和第二半导体层，所述第一和第二半导体层分别接近于所述第一和第二公共辅助层，并且分别包括p‑型半导体和具有比所述电子传输材料的LUMO能级深的LUMO能级的非富勒烯n‑型半导体。在所述第二半导体层和所述第二公共辅助层之间的插入层包括金属、金属化合物、或其任意组合。所述金属的功函或所述金属化合物的LUMO能级分别比所述非富勒烯n‑型半导体的LUMO能级和所述电子传输材料的LUMO能级的每一个深了或浅了在小于约1.3eV的范围内的值。
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公开(公告)号：CN115483254A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210608250.8
申请日：2022-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了传感器嵌入式显示面板、图像传感器和显示装置。该传感器嵌入式显示面板包括基板、在基板上并包括发射层的发光元件、以及在基板上的光电元件。光电元件包括光吸收层。光吸收层在平行于基板的上表面延伸的水平方向上至少部分地与发射层重叠。发光元件和光电元件各自包括：第一公共辅助层的单独部分，第一公共辅助层在发射层的顶部和光吸收层的顶部延伸；以及第二公共辅助层的单独部分，第二公共辅助层在发射层的底部和光吸收层的底部延伸。光电元件进一步包括辅助层，该辅助层具有与红色波长光谱、绿色波长光谱和蓝色波长光谱之一对应的厚度。
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公开(公告)号：CN114716457A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210014471.2
申请日：2022-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D517/16 , C07D517/20 , C07D517/22 , C07F7/08 , H01L51/46 , H01L27/30
Abstract: 提供用于光电器件的组合物、以及包括其的光电器件、图像传感器和电子设备，所述用于光电器件的组合物包括n型半导体化合物和由化学式1表示的p型半导体化合物，在化学式1中，各基团与详述的说明书中定义的相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN117956861A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311412371.6
申请日：2023-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K50/15 , H10K50/16 , H10K101/40
Abstract: 公开传感器嵌入式显示面板、传感器和电子设备。所述显示面板可包括在基板上的包括光发射层的光发射元件和包括光敏层的传感器。所述光发射元件和所述传感器各自可包括第一和第二公共辅助层的相应的部分，所述第一和第二公共辅助层可作为单块材料在所述光发射层和所述光敏层下面和上面连续地形成。所述第一和第二公共辅助层分别可包括空穴传输材料和电子传输材料。所述光敏层可包括分别靠近于所述第一和第二公共辅助层的第一和第二半导体层。所述第一和第二半导体层分别可包括p型半导体和n型半导体。所述第二半导体层可具有面对所述第二公共辅助层的不均匀表面并且可具有大于或等于约5nm的平均粗糙度(Rq)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115677470A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210909618.4
申请日：2022-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07C49/683 , C07C255/40 , C07D333/78 , C07D345/00 , C07D409/06 , C07D409/14 , C07D421/04 , C07D421/06 , C07D421/14 , C07D471/04 , C07D495/04 , C07D498/04 , C07D517/04 , C07D517/16 , C07F7/08 , H10K85/60 , H10K85/40 , H10K59/35 , H10K39/34 , H10K30/60 , H10K50/125
Abstract: 公开化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，G、R1、R2、R3、X1、Ar1和Ar2各自与说明书中相同。[化学式1]
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公开(公告)号：CN114627947A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202111087817.3
申请日：2021-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/12
Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统。所述半导体存储器装置包括：测试模式数据存储装置，被配置为在测试操作期间，响应于寄存器写入命令和寄存器地址而存储测试写入模式数据，并且响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号而输出测试读取模式数据；存储器单元阵列，包括多个存储器单元并且被配置为生成读取数据；读取路径单元，被配置为通过将读取数据串行化而生成n个读取数据；以及测试读取数据生成单元，被配置为在测试操作期间，通过将测试读取模式数据与以第一数据速率生成的所述n个读取数据中的每个进行比较来生成n个测试读取数据，并且以低于第一数据速率的第二数据速率生成所述n个测试读取数据。
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公开(公告)号：CN118546146A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410209397.9
申请日：2024-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07D491/048 , H10K30/60 , H10K39/34 , H10K39/32 , C07D495/04 , C07D517/04 , C07D513/04 , C07D409/14 , C07D421/14 , C07D491/16 , C07D495/16 , H10K85/60 , G01N21/27
Abstract: 提供化合物以及包括其的光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板、和电子设备，所述化合物由化学式1至3的任一个表示，并且具有大于或等于约1.55分子/nm3的分子堆积密度。在化学式1至3中，各取代基的定义如说明书中所描述的。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN117500331A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310929614.7
申请日：2023-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K59/60 , H10K59/12 , H10K101/40
Abstract: 公开光电传感器以及嵌入有传感器的显示面板和电子设备。嵌入有传感器的显示面板包括：在基板上并且包括光发射层的光发射元件、和光电传感器，光电传感器在基板上并且包括光敏层，光敏层沿着基板的面内方向平行于光发射层延伸，使得光敏层和光发射层在所述面内方向上彼此至少部分地重叠。光发射元件和光电传感器包括各自分别在光发射层和光敏层的每一个下面和上作为单块材料连续地延伸的第一和第二公共辅助层各自的单独的、分别的部分。光敏层可包括HOMO能级与第一公共辅助层的HOMO能级的差值小于约1.0eV且LUMO能级与第二公共辅助层的LUMO能级的差值小于约1.0eV的光吸收半导体。光敏层不包括用于与光吸收半导体形成任何pn结的任何配对半导体。
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公开(公告)号：CN115411070A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210586999.7
申请日：2022-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及传感器嵌入式显示面板和显示设备。传感器嵌入式显示面板包括：基板、在所述基板上且包括发光层的发光元件、以及在所述基板上且包括沿着所述基板的面内方向与所述发光层平行的光电转换层的光电传感器，其中所述发光元件和所述光电传感器各自包括第一公共辅助层的单独部分和公共电极的单独部分，所述第一公共辅助层为在所述发光层和所述光电转换层上连续延伸的单块材料，所述公共电极在所述第一公共辅助层上且配置为将公共电压施加至所述发光元件和所述光电传感器二者，并且所述光电转换层包括从所述第一公共辅助层起的第一n型半导体层、第二n型半导体层、和p型半导体层的顺序堆叠体。
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