公开(公告)号：CN117956861A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311412371.6

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹晟荣 ,  金亨柱 ,  朴敬培 ,  元正渊 ,  金奉洙 ,  朴晟镕 ,  朴正一

IPC: H10K59/60 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K101/40

Abstract: 公开传感器嵌入式显示面板、传感器和电子设备。所述显示面板可包括在基板上的包括光发射层的光发射元件和包括光敏层的传感器。所述光发射元件和所述传感器各自可包括第一和第二公共辅助层的相应的部分，所述第一和第二公共辅助层可作为单块材料在所述光发射层和所述光敏层下面和上面连续地形成。所述第一和第二公共辅助层分别可包括空穴传输材料和电子传输材料。所述光敏层可包括分别靠近于所述第一和第二公共辅助层的第一和第二半导体层。所述第一和第二半导体层分别可包括p型半导体和n型半导体。所述第二半导体层可具有面对所述第二公共辅助层的不均匀表面并且可具有大于或等于约5nm的平均粗糙度(Rq)。

公开(公告)号：CN107507973B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201710446547.8

申请日：2017-06-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 孙维焕 ,  朴晟镕 ,  河镇秀 ,  洪锡基 ,  朴光镇 ,  朴骏镐 ,  崔棅珍

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391

Abstract: 提供复合正极活性材料、包括复合正极活性材料的正极和锂电池及制备复合正极活性材料的方法。所述复合正极活性材料包括具有第一层状晶体结构的第一金属氧化物和具有第二层状晶体结构的第二金属氧化物的复合物，其中所述第二金属氧化物包括层状双氧化物(LDO)。

公开(公告)号：CN107507973A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710446547.8

申请日：2017-06-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 孙维焕 ,  朴晟镕 ,  河镇秀 ,  洪锡基 ,  朴光镇 ,  朴骏镐 ,  崔棅珍

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391

CPC classification number: H01M4/366 ,  C01G53/006 ,  C01G53/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/22 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  H01M4/628 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/028 ,  H01M4/48 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391

Abstract: 提供复合正极活性材料、包括复合正极活性材料的正极和锂电池及制备复合正极活性材料的方法。所述复合正极活性材料包括具有第一层状晶体结构的第一金属氧化物和具有第二层状晶体结构的第二金属氧化物的复合物，其中所述第二金属氧化物包括层状双氧化物(LDO)。

公开(公告)号：CN107845785B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201710846925.1

申请日：2017-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 孙寅赫 ,  李柱明 ,  朴晟镕 ,  李重昊 ,  韩圣洙

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/1395 ,  C01B33/02 ,  C01B32/186 ,  C01B33/113 ,  C01B32/05

Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物簇、其制备方法和其碳复合物、及各自包括其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇包括：包括多孔硅复合物二次颗粒的多孔芯，所述多孔硅复合物二次颗粒包括多个硅复合物一次颗粒的聚集体；其中所述硅复合物一次颗粒各自包括硅、设置在所述硅上的其中0

公开(公告)号：CN107845785A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201710846925.1

申请日：2017-09-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 孙寅赫 ,  李柱明 ,  朴晟镕 ,  李重昊 ,  韩圣洙

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/38 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/1395 ,  C01B33/02 ,  C01B32/186 ,  C01B33/113 ,  C01B32/05

CPC classification number: H01M4/366 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/364 ,  H01M4/386 ,  H01M4/483 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587 ,  H01M4/625 ,  H01M10/0427 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/027 ,  C01B33/02 ,  C01B33/113 ,  C01P2004/80 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/628

Abstract: 本发明涉及多孔硅复合物簇、其制备方法和其碳复合物、及各自包括其的电极、锂电池和器件。多孔硅复合物簇包括：包括多孔硅复合物二次颗粒的多孔芯，所述多孔硅复合物二次颗粒包括多个硅复合物一次颗粒的聚集体；其中所述硅复合物一次颗粒各自包括硅、设置在所述硅上的其中0