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公开(公告)号：CN1258230C
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN01133118.6
申请日：2001-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图，成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层，成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线，成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层，成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线，以及形成在绝缘中间层上、由与数据线相同的材料成型且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极，其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上，第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张，因而简化了生产工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1229669C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN02125133.9
申请日：2002-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F2001/133337 , G02F2001/133388 , G02F2001/133397 , G09G3/3648 , G09G2330/08 , G09G2330/10
Abstract: 液晶显示器中，在第一基底上提供多个栅线和数据线，第一基底包括作为屏幕的显示区域和显示区域外部的周边区域。在第一基底上也提供多个电气连接到栅线和数据线的像素电极。一些像素电极延伸到周边区域内。在与第一基底相对的第二基底上形成黑色基体，它遮蔽周边区域内像素电极的延伸部分。形成于第一和第二基底上的对准薄膜的摩擦方向朝着周边区域内像素电极的延伸部分。对准薄膜表面上的杂质离子沿着摩擦方向移动，停止在像素电极的延伸部分，于是由杂质离子引起的图像缺陷用黑色基体遮蔽了。
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公开(公告)号：CN1636162A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03804247.9
申请日：2003-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管和一种液晶显示器。为了在不增加驱动电路尺寸的情况下使得TFT的电荷迁移率一致，将栅极电极形成为包括沿垂直于晶粒生长方向延伸的至少一部分。根据本发明的薄膜晶体管包括一半导体图案，半导体图案包括含有在绝缘衬底上生长的晶粒的多晶硅薄膜。该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区。一栅极绝缘层覆盖半导体图案。在栅极绝缘层上，形成一包括沿着与晶粒生长方向交叉的方向延伸并与沟道区相重叠的至少一部分的栅极电极。在根据本发明的液晶显示器中，形成数据驱动电路的多个薄膜晶体管包括通过顺序横向固化形成的多晶硅薄膜，各薄膜晶体管的栅极电极的至少一部分沿横跨晶粒生长方向的方向延伸，而且，所述多个薄膜晶体管中至少一个的栅极电极具有不同于其它薄膜晶体管的图案。
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公开(公告)号：CN1636162B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN03804247.9
申请日：2003-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/40 , H01L29/768
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管和一种液晶显示器。为了在不增加驱动电路尺寸的情况下使得TFT的电荷迁移率一致，将栅极电极形成为包括沿垂直于晶粒生长方向延伸的至少一部分。根据本发明的薄膜晶体管包括一半导体图案，半导体图案包括含有在绝缘衬底上生长的晶粒的多晶硅薄膜。该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区。一栅极绝缘层覆盖半导体图案。在栅极绝缘层上，形成一包括沿着与晶粒生长方向交叉的方向延伸并与沟道区相重叠的至少一部分的栅极电极。在根据本发明的液晶显示器中，形成数据驱动电路的多个薄膜晶体管包括通过顺序横向固化形成的多晶硅薄膜，各薄膜晶体管的栅极电极的至少一部分沿横跨晶粒生长方向的方向延伸，而且，所述多个薄膜晶体管中至少一个的栅极电极具有不同于其它薄膜晶体管的图案。
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公开(公告)号：CN1397822A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02125133.9
申请日：2002-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/133512 , G02F1/134336 , G02F1/1345 , G02F2001/133337 , G02F2001/133388 , G02F2001/133397 , G09G3/3648 , G09G2330/08 , G09G2330/10
Abstract: 液晶显示器中，在第一基底上提供多个栅线和数据线，第一基底包括作为屏幕的显示区域和显示区域外部的周边区域。在第一基底上也提供多个电气连接到栅线和数据线的像素电极。一些像素电极延伸到周边区域内。在与第一基底相对的第二基底上形成黑色基体，它遮蔽周边区域内像素电极的延伸部分。形成于第一和第二基底上的对准薄膜的摩擦方向朝着周边区域内像素电极的延伸部分。对准薄膜表面上的杂质离子沿着摩擦方向移动，停止在像素电极的延伸部分，于是由杂质离子引起的图像缺陷用黑色基体遮蔽了。
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公开(公告)号：CN1383214A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN01133118.6
申请日：2001-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种用于LCD的多晶硅TFT及其制造方法。TFT包括成型在基板上的有效构图,成型在包括有效构图的基板上的栅绝缘层,成型在栅绝缘层上而横穿该有效构图且包括用于确定第一杂质区、第二杂质区和沟道区的栅电极的栅线,成型在包括栅线的栅绝缘层上的绝缘中间层,成型在绝缘中间层上且通过第一接触孔与第二杂质区相连的数据线,以及形成在与数据线相同的绝缘中间层上且通过第二接触孔与第一杂质区相连的象素电极,其中第一接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第二杂质区上,第二接触孔通过栅绝缘层和绝缘中间层成型在第一杂质区上。掩膜的数量可以减少到5或6张,因而简化了生产工艺。
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