公开(公告)号：CN114256250A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111080395.7

申请日：2021-09-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑周嬿 ,  金宽容 ,  李海旻 ,  林周永 ,  赵源锡

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：基板，其具有第一区域、第二区域和第三区域；主分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；第一辅助分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开；以及第二辅助分离区域，其在第一方向上延伸并且在第二方向上彼此间隔开。第一辅助分离区域在第二方向上按第一间距位于主分离区域之间，第二辅助分离区域在第二方向上按小于第一间距的第二间距设置在主分离区域之间，并且第一辅助分离区域和第二辅助分离区域在第二方向上相对于彼此偏移。

公开(公告)号：CN114678377A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111580785.0

申请日：2021-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李海旻 ,  金锺秀 ,  宋炫周 ,  郑周嬿

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/11568

Abstract: 一种半导体器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替堆叠在下结构上的层间绝缘层和栅极层；以及穿透堆叠结构的存储器竖直结构、分离结构和支撑竖直结构，其中栅极层包括下栅极层、上栅极层和中间栅极层，其中分离结构包括第一分离结构，其中支撑竖直结构包括穿透下栅极层、中间栅极层和上栅极层且与第一分离结构相邻的第一内支撑竖直结构，其中第一内支撑竖直结构的一部分在与上栅极层相同的水平上直接连接到第一分离结构，以及其中第一内支撑竖直结构的一部分在与下栅极层相同的水平上与第一分离结构间隔开。