公开(公告)号：CN103855133B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201310646036.2

申请日：2013-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  安殷彻 ,  金相荣 ,  辛周源 ,  李旼镐

IPC: H01L23/62

Abstract: 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件，该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN103855133A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310646036.2

申请日：2013-12-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  安殷彻 ,  金相荣 ,  辛周源 ,  李旼镐

IPC: H01L23/62

Abstract: 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件，该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括：衬底；熔丝，所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案，所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开，使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上，所述第一绝缘层包括开口，所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。