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发明公开
半导体封装及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN118693000A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311550400.5

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权洞煜 , 金公明 , 金宣澈 , 文祭仁 , 赵现来

IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60

Abstract: 提供一种具有增强的可靠性的半导体封装和制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括：封装衬底，包括具有中心区域和外围区域的主体层、主体层的顶表面上的第一保护层、以及外围区域中在第一保护层上的第二保护层；半导体芯片，在中心区域中以倒装芯片结构安装在第一保护层上；底部填充物，在第一保护层与半导体芯片之间的间隙中以及在连接端子之间的间隙中；中介层，在半导体芯片上；以及衬底间连接端子，在封装衬底的外围区域上并且将封装衬底电连接到中介层，其中，底部填充物具有延伸到第一保护层中的锚固结构。

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