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公开(公告)号：CN114188305A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111031346.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/532 , H01L29/45 , H01L27/108 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。
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