公开(公告)号：CN101673581B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN200910205766.2

申请日：2009-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在修 ,  卢羌镐 ,  赵原熙 ,  沈昊俊 ,  崔永准 ,  许在训 ,  宋济赫 ,  赵承德 ,  金善择 ,  吴文旭 ,  朴钟泰 ,  朴赞益 ,  千源汶 ,  李洋燮

IPC: G06F12/02

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5621 ,  Y02D10/13

Abstract: 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。

公开(公告)号：CN118231376A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311215675.3

申请日：2023-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声 ,  赵原熙 ,  文泂烈 ,  赵星东

IPC: H01L23/528 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：半导体层，所述半导体层位于衬底上；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述半导体层上；第一导电结构，所述第一导电结构被设置为在与所述衬底的底表面垂直的垂直方向上穿透所述第一绝缘层，并且连接到所述半导体层；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述第一导电结构；第二导电结构，所述第二导电结构被设置为在所述垂直方向上穿透所述第二绝缘层，并且连接到所述第一导电结构；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述第一绝缘层的顶表面并且延伸到所述第一导电结构的侧表面。所述第二导电结构的最下表面可以位于比所述第一绝缘层的顶表面高的高度。

公开(公告)号：CN101673581A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910205766.2

申请日：2009-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在修 ,  卢羌镐 ,  赵原熙 ,  沈昊俊 ,  崔永准 ,  许在训 ,  宋济赫 ,  赵承德 ,  金善择 ,  吴文旭 ,  朴钟泰 ,  朴赞益 ,  千源汶 ,  李洋燮

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5621 ,  Y02D10/13

Abstract: 提供一种带有处理器、主存储器和闪存的存储器系统。通过获得加速和高的数据可靠性可提高存储器系统的性能。存储器系统包括非易失性存储器设备和用于驱动控制程序来控制非易失性存储器设备的控制器。即使在对非易失性存储器设备的第一存取操作完成之前，控制程序也执行对于非易失性存储器设备的第二存取操作。

公开(公告)号：CN101527004A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910118268.4

申请日：2009-03-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵原熙

IPC: G06K19/073

CPC classification number: G06F21/79

Abstract: 所公开的是一种数据存储设备，包括外部开关、控制器和非易失性存储器。外部开关响应于所述开关的操作而选择性地产生模式信息。所述开关响应于所述模式信息而控制正常数据和受保护数据的记录操作。所述非易失性存储器响应于所述控制器而存储正常数据和受保护数据。

公开(公告)号：CN115642146A

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210839787.5

申请日：2022-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声 ,  文泂烈 ,  赵星东 ,  赵原熙

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体装置包括：包括第一区域和第二区域的半导体基板；在第一区域上以第一间隔彼此间隔开的第一金属线；在第二区域上以第二间隔彼此间隔开的第二金属线，第二间隔小于第一间隔；以及在半导体基板上并覆盖第一金属线和第二金属线的钝化层，钝化层包括侧壁部、上部和气隙，侧壁部覆盖第一金属线和第二金属线的侧壁，侧壁部包括多孔介电层，上部覆盖第一金属线和第二金属线的顶表面，气隙由第二金属线之间的侧壁部限定。

公开(公告)号：CN115700910A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210777377.2

申请日：2022-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜旼声 ,  文泂烈 ,  秦浚禑 ,  金甫贤 ,  赵星东 ,  赵原熙

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件包括衬底。导电层设置在衬底上并且沿第一方向延伸。绝缘层设置在导电层上并且通过通路孔暴露导电层的至少一部分。通路孔包括相对于导电层的顶面以第一坡度延伸的第一面。第二面相对于导电层的顶面以小于第一坡度的第二坡度延伸。再分布导电层包括设置在通路孔中的第一焊盘区域。线路区域至少部分地沿着第一面和第二面延伸。第一面直接接触导电层。第二面在垂直于衬底的顶面的第三方向上位于比第一面高的高度处。