公开(公告)号：CN119947235A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411479999.2

申请日：2024-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金茶惠 ,  朴宰贤 ,  尹镇灿 ,  许大弘

IPC: H10D84/83 ,  H10D62/17 ,  H10D62/13

Abstract: 一种半导体器件包括：多个下沟道图案，彼此间隔开；多个上沟道图案，在所述多个下沟道图案上彼此间隔开；栅极结构，围绕所述多个下沟道图案和所述多个上沟道图案；下源极/漏极沟槽，位于所述多个下沟道图案的至少一侧；上源极/漏极沟槽，位于所述多个上沟道图案的至少一侧；下源极/漏极图案，位于下源极/漏极沟槽内；以及上源极/漏极图案，包括位于上源极/漏极沟槽的相对侧壁上的第一上源极/漏极层以及位于第一上源极/漏极层之间的第二上源极/漏极层，其中第一上源极/漏极层不覆盖上源极/漏极沟槽的底表面的至少一部分。

公开(公告)号：CN119403217A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202410577243.5

申请日：2024-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金茶惠 ,  尹镇灿 ,  许大弘 ,  朴宰贤

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D62/10

Abstract: 描述了一种半导体器件。所述半导体器件包括在衬底上位于有源区域上方的下沟道层和上沟道层。所述半导体器件还包括设置在所述下沟道层与所述上沟道层之间的中间绝缘结构。所述半导体器件包括：栅极结构，围绕所述沟道层；以及下源极/漏极区域和上源极/漏极区域，在所述栅极结构的至少一侧设置在所述有源区域上。阻挡结构在所述下源极/漏极区域与所述上源极/漏极区域之间。所述下源极/漏极区域和所述上源极/漏极区域可以各自分别填充下凹陷区域或上凹陷区域。这些凹陷区域由相应的沟道层、所述栅极结构和所述阻挡结构限定。所述上凹陷区域和所述下凹陷区域的侧表面斜率可以变化，并且所述凹陷区域的侧表面斜率可以彼此不同。