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公开(公告)号：CN110729279B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201910259386.0
申请日：2019-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H10B80/00 , H01L23/31
Abstract: 提供了一种半导体封装件和一种半导体器件。半导体封装件包括：封装衬底；第一半导体器件，在封装衬底的上表面上；第二半导体器件，在第一半导体器件的上表面上；第一连接凸块，附接到封装衬底的下表面；第二连接凸块，置于封装衬底与第一半导体器件之间并电连接到封装衬底和第一半导体器件；以及第三连接凸块，置于第一半导体器件与第二半导体器件之间并电连接到第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件具有边缘和在边缘处的台阶。
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公开(公告)号：CN111092020B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201911003926.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/31
Abstract: 一种用于制造半导体器件封装件的方法包括：将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中，所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分，并且由透光材料形成；通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分；以及对所述模制部分进行模制，以覆盖所述半导体器件。
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公开(公告)号：CN115084066A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210231194.0
申请日：2022-03-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一半导体芯片，其包括第一芯片基板以及穿过第一芯片基板的第一贯穿通路；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片上并包括第二芯片基板以及穿透第二芯片基板的第二贯穿通路；以及连接端子，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间以电连接第一贯穿通路和第二贯穿通路。该半导体器件进一步包括芯片间模制材料，该芯片间模制材料包括填充在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间并包围连接端子的填充部分、沿着第二半导体芯片的侧表面的至少一部分延伸的延伸部分以及从延伸部分突出的突出部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112397447A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010673029.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L23/552 , B23K26/38
Abstract: 提供了半导体晶片及切割半导体晶片的方法。该切割半导体晶片的方法包括：提供半导体衬底、切割区域和金属屏蔽层，半导体衬底具有在半导体衬底的有源表面上的多个集成电路区域，切割区域提供在所述多个集成电路区域中的相邻的集成电路区域之间，并且金属屏蔽层跨过所述相邻的集成电路区域的至少一部分和切割区域提供在有源表面上；通过沿着切割区域将激光照射到半导体衬底内部来形成改性层；通过抛光半导体衬底的与有源表面相反的无源表面，使裂纹在垂直于金属屏蔽层的长轴方向的方向上从改性层传播；以及通过基于从改性层传播的裂纹分别分离所述相邻的集成电路区域来形成半导体芯片。
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公开(公告)号：CN111092020A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911003926.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/31
Abstract: 一种用于制造半导体器件封装件的方法包括：将其上安装有半导体器件的衬底容纳在位于载体衬底的中心的腔中，所述载体衬底具有与所述腔的侧壁接触以形成所述侧壁的上表面并围绕所述腔的支撑部分，并且由透光材料形成；通过按压所述支撑部分和所述衬底的边缘区域来限定所述衬底的模制部分；以及对所述模制部分进行模制，以覆盖所述半导体器件。
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公开(公告)号：CN110729279A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910259386.0
申请日：2019-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31
Abstract: 提供了一种半导体封装件和一种半导体器件。半导体封装件包括：封装衬底；第一半导体器件，在封装衬底的上表面上；第二半导体器件，在第一半导体器件的上表面上；第一连接凸块，附接到封装衬底的下表面；第二连接凸块，置于封装衬底与第一半导体器件之间并电连接到封装衬底和第一半导体器件；以及第三连接凸块，置于第一半导体器件与第二半导体器件之间并电连接到第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件具有边缘和在边缘处的台阶。
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公开(公告)号：CN105428337B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510573810.0
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L23/367 , H01L23/482 , H01L23/544 , H01L21/50
Abstract: 本公开提供了半导体封装及其制造方法。实施例包括一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；第一半导体芯片，安装在基板上；第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的顶表面上；连接凸块，设置在第一和第二半导体芯片之间以将第二半导体芯片电连接到第一半导体芯片；以及第一散热部件，在第一和第二半导体芯片之间设置在第一半导体芯片的顶表面上且与第二半导体芯片的底表面分隔开。
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公开(公告)号：CN105428337A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510573810.0
申请日：2015-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/535 , H01L23/367 , H01L23/482 , H01L23/544 , H01L21/50
Abstract: 本公开提供了半导体封装及其制造方法。实施例包括一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；第一半导体芯片，安装在基板上；第二半导体芯片，安装在第一半导体芯片的顶表面上；连接凸块，设置在第一和第二半导体芯片之间以将第二半导体芯片电连接到第一半导体芯片；以及第一散热部件，在第一和第二半导体芯片之间设置在第一半导体芯片的顶表面上且与第二半导体芯片的底表面分隔开。
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