公开(公告)号：CN105762148A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201511021210.X

申请日：2015-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯宗 ,  许伟华 ,  刘庭均 ,  李忠浩

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/0928

Abstract: 本发明涉及具有双硅化物的半导体器件及其制造方法。具有双硅化物的半导体器件包括位于衬底上的具有N型杂质的第一鳍和具有P型杂质的第二鳍。第一栅电极和第一源极/漏极区位于第一鳍上。第二栅电极和第二源极/漏极区位于第二鳍上。刻蚀停止层位于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。绝缘层位于刻蚀停止层上。连接至第一源极/漏极区的第一插件以及连接至第二源极/漏极区的第二插件被形成为穿过绝缘层和刻蚀停止层。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极区中。第二金属硅化物层位于第二源极/漏极区中，第二金属硅化物层具有与第一金属硅化物层的材料不同的材料，并且具有比第一金属硅化物层的厚度更小的厚度。

公开(公告)号：CN105762148B

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201511021210.X

申请日：2015-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯宗 ,  许伟华 ,  刘庭均 ,  李忠浩

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明涉及具有双硅化物的半导体器件及其制造方法。具有双硅化物的半导体器件包括位于衬底上的具有N型杂质的第一鳍和具有P型杂质的第二鳍。第一栅电极和第一源极/漏极区位于第一鳍上。第二栅电极和第二源极/漏极区位于第二鳍上。刻蚀停止层位于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。绝缘层位于刻蚀停止层上。连接至第一源极/漏极区的第一插件以及连接至第二源极/漏极区的第二插件被形成为穿过绝缘层和刻蚀停止层。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极区中。第二金属硅化物层位于第二源极/漏极区中，第二金属硅化物层具有与第一金属硅化物层的材料不同的材料，并且具有比第一金属硅化物层的厚度更小的厚度。