公开(公告)号：CN112071855A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010528944.1

申请日：2020-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李奉镕 ,  金泰勋 ,  裴敏敬 ,  禹明勋 ,  黄斗熙

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种竖直半导体装置及其制造方法。所述竖直半导体装置包括：共源半导体层，其位于衬底上；支撑层，其位于共源半导体层上；交替地堆叠在支撑层上的栅极和层间绝缘层；沟道图案，其在与衬底的上表面垂直的第一方向上延伸，同时穿过栅极和支撑层，支撑层的面对沟道图案的侧壁相对于栅极的面对沟道图案的侧壁偏移；以及信息存储层，其在栅极与沟道图案之间延伸，信息存储层至少延伸到支撑层的面对沟道图案的侧壁。

公开(公告)号：CN108695338A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810268318.6

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  裴敏敬 ,  金柄宅 ,  赵慧珍 ,  金容锡 ,  金泰勋 ,  林濬熙

IPC: H01L27/11582

Abstract: 竖直堆叠存储器件包括掺杂半导体衬底，所述掺杂半导体衬底具有施加了源极电力的公共源极以及与公共源极间隔开的低带隙层，并且所述低带隙层包括低带隙材料。堆叠栅极结构具有沿第一方向交替地且竖直地堆叠在衬底上的栅电极和绝缘间层图案。沟道结构沿第一方向穿透堆叠栅极结构。沟道结构与低带隙层接触。电荷存储结构介于堆叠栅极结构和沟道结构之间。电荷存储结构配置为选择性地存储电荷，并且将存储的电荷提供给存储单元、堆叠栅极结构和沟道结构。