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公开(公告)号：CN118553716A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311487028.8
申请日：2023-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L29/04 , H01L21/768
Abstract: 描述了一种半导体器件，包括有源图案、有源图案上的附加有源层、以及跨有源图案延伸的栅结构。附加有源层包括连接到有源图案的侧壁的底表面、以及在比底表面的水平高的水平处的上弯曲表面。附加有源层的晶格常数与有源图案的晶格常数不同。
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