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公开(公告)号：CN115700910A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210777377.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体器件包括衬底。导电层设置在衬底上并且沿第一方向延伸。绝缘层设置在导电层上并且通过通路孔暴露导电层的至少一部分。通路孔包括相对于导电层的顶面以第一坡度延伸的第一面。第二面相对于导电层的顶面以小于第一坡度的第二坡度延伸。再分布导电层包括设置在通路孔中的第一焊盘区域。线路区域至少部分地沿着第一面和第二面延伸。第一面直接接触导电层。第二面在垂直于衬底的顶面的第三方向上位于比第一面高的高度处。
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