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公开(公告)号：CN117915660A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311828228.5
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体存储器件包括：下电极，每个下电极围绕内部空间；位于下电极的顶表面上的上支撑层，上支撑层位于由下电极围绕的内部空间中；在上支撑层上的上电极，上电极填充第一区域和第二区域，第二区域穿透上支撑层，并且第一区域从第二区域延伸到下电极之间。每个下电极包括：与第二区域垂直交叠的第一部分，第一部分的顶表面由上支撑层暴露；由上支撑层覆盖的第二部分，第二部分的顶表面与上支撑层接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676255A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910559540.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02 , H01L21/8242
Abstract: 半导体存储器件包括：下电极，每个下电极围绕内部空间；位于下电极的顶表面上的上支撑层，上支撑层位于由下电极围绕的内部空间中；在上支撑层上的上电极，上电极填充第一区域和第二区域，第二区域穿透上支撑层，并且第一区域从第二区域延伸到下电极之间。每个下电极包括：与第二区域垂直交叠的第一部分，第一部分的顶表面由上支撑层暴露；由上支撑层覆盖的第二部分，第二部分的顶表面与上支撑层接触。
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公开(公告)号：CN110676255B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201910559540.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体存储器件包括：下电极，每个下电极围绕内部空间；位于下电极的顶表面上的上支撑层，上支撑层位于由下电极围绕的内部空间中；在上支撑层上的上电极，上电极填充第一区域和第二区域，第二区域穿透上支撑层，并且第一区域从第二区域延伸到下电极之间。每个下电极包括：与第二区域垂直交叠的第一部分，第一部分的顶表面由上支撑层暴露；由上支撑层覆盖的第二部分，第二部分的顶表面与上支撑层接触。
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公开(公告)号：CN115720485A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210993301.3
申请日：2022-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一焊盘，位于在第一方向和第二方向上延伸的衬底上；下电极，连接到第一焊盘并且设置在第一焊盘上；第一支撑体层、第二支撑体层和第三支撑体层，设置在下电极的侧壁上，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上彼此顺序地间隔开；电介质膜，设置在下电极以及第一支撑体层、第二支撑体层和第三支撑体层上；以及上电极，设置在电介质膜上。下电极的在第一支撑体层和第二支撑体层之间的侧壁和下电极的在第二支撑体层和第三支撑体层之间的侧壁中的至少一者包括第一部分和第二部分，第一部分包括在第一方向上延伸的突起，第二部分不包括突起。
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公开(公告)号：CN112530948A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010596850.8
申请日：2020-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供集成电路器件。集成电路器件包括：下电极，形成在基底上；以及上支撑结构，围绕下电极设置并支撑下电极。上支撑结构包括：上支撑图案，围绕下电极并沿平行于基底的横向方向延伸，上支撑图案具有下电极所穿过的孔；以及上间隔件支撑图案，位于上支撑图案与孔内部的下电极之间并具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁，其中，上间隔件支撑图案在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小。
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