公开(公告)号：CN117896984A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310698983.X

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴芮鉁 ,  金承允 ,  金希锡 ,  金亨珍 ,  张世熙 ,  申旼树 ,  辛承俊 ,  千相勳 ,  韩智勳 ,  沈载煌 ,  安钟善

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50

Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。