公开(公告)号：CN110943040A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910874790.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌成 ,  申承勋 ,  柳在冏 ,  李泽勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割衬底的方法和用于形成半导体芯片的分离方法。所述衬底包括器件区域和划片道区域。所述切割衬底的方法包括：选择性地在所述衬底的所述器件区域中形成钝化层；选择性地在所述钝化层上形成自组装单层；以及在所述划片道区域中执行等离子体切割。

公开(公告)号：CN110943040B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN201910874790.9

申请日：2019-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌成 ,  申承勋 ,  柳在冏 ,  李泽勋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供一种切割衬底的方法和用于形成半导体芯片的分离方法。所述衬底包括器件区域和划片道区域。所述切割衬底的方法包括：选择性地在所述衬底的所述器件区域中形成钝化层；选择性地在所述钝化层上形成自组装单层；以及在所述划片道区域中执行等离子体切割。