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公开(公告)号：CN107665947B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201710631798.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。
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公开(公告)号：CN103855181A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310625348.5
申请日：2013-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供电阻式存储器件，该电阻式存储器件包括：栅叠层，包括在竖直方向上层叠在基板上的模制绝缘层和栅极；沟道，在竖直方向上穿透栅叠层以电连接到基板；栅绝缘层，提供在沟道和栅极之间；以及沿着沟道的延伸方向设置的可变电阻层。栅叠层可以包括通过使栅极在水平方向上凹入而形成的凹穴。可变电阻层可以朝向凹穴在水平方向延伸并且与栅极中的至少一个在水平方向上重叠。还提供了相关的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689242A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710657323.1
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: H01L45/1641 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2013/0083 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , G11C13/0002 , G11C13/0021
Abstract: 本发明公开了一种形成包括存储单元阵列的半导体器件的方法，该方法可以包括对存储阵列的一个或更多个存储单元执行开关烧制操作从而导致与存储单元中的阈值开关器件相关的阈值电压分布被减小。开关器件烧制操作可以被执行使得阈值电压分布被减小同时保持所述一个或更多个阈值开关器件处于非晶态。对阈值开关器件执行开关器件烧制操作可以包括加热阈值开关器件、施加电压到阈值开关器件、施加电流到阈值开关器件、其一些组合等等。
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公开(公告)号：CN103490008B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201310226492.1
申请日：2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种三维电阻性随机存取存储器器件、其操作方法及其制造方法。半导体器件包括在水平方向上延伸的衬底。在衬底上存在着在相对于衬底的水平延伸方向的垂直方向上延伸的有源柱。在衬底上存在沿着有源柱在垂直方向上延伸的可变电阻性图案，可变电阻性图案的电阻响应于其氧化或还原而改变。栅极存在于有源柱的侧壁处。
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公开(公告)号：CN107689242B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201710657323.1
申请日：2017-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种形成包括存储单元阵列的半导体器件的方法，该方法可以包括对存储阵列的一个或更多个存储单元执行开关烧制操作从而导致与存储单元中的阈值开关器件相关的阈值电压分布被减小。开关器件烧制操作可以被执行使得阈值电压分布被减小同时保持所述一个或更多个阈值开关器件处于非晶态。对阈值开关器件执行开关器件烧制操作可以包括加热阈值开关器件、施加电压到阈值开关器件、施加电流到阈值开关器件、其一些组合等等。
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公开(公告)号：CN107665947A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710631798.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2427 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/76 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/141
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件可以包括：第一电极层；在第一电极层上的选择器件层，该选择器件层包括基本上由锗(Ge)、硒(Se)和锑(Sb)组成的硫属元素化物开关材料，其中基于原子百分比，Ge的含量小于Se的含量；在选择器件层上的第二电极层；在第二电极层上的可变电阻层，可变电阻层包括硫属元素化物材料；以及在可变电阻层上的第三电极层。
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公开(公告)号：CN103490008A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310226492.1
申请日：2013-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种三维电阻性随机存取存储器器件、其操作方法及其制造方法。半导体器件包括在水平方向上延伸的衬底。在衬底上存在着在相对于衬底的水平延伸方向的垂直方向上延伸的有源柱。在衬底上存在沿着有源柱在垂直方向上延伸的可变电阻性图案，可变电阻性图案的电阻响应于其氧化或还原而改变。栅极存在于有源柱的侧壁处。
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