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公开(公告)号：CN1605921B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200410095950.3
申请日：2004-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1343 , G02F1/139
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F2001/134345 , G02F2001/134381
Abstract: 本发明涉及一种改良的平板液晶显示器(LCD)。在一个实施例中，改良的LCD包括完全填充彩色滤光器阵列和薄膜晶体管(TFT)阵列之间的间隙的液晶层。TFT阵列包括包含有一个或多个像素区的衬底。每个像素区可以分成至少两个像素子区。配置每个像素子区以使其具有与其配对物不同的电场，这样两个子区内的相互补偿就会降低伽马曲线的变形，并且提高平板显示器的横向可视性。在一个实施例中，第一像素电极形成在至少两个像素子区的第一个中；第二像素电极形成在至少两个像素子区的第二个中。
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公开(公告)号：CN101165551A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710162509.6
申请日：2007-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L27/12 , H01L23/528
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/1339 , G02F1/1345 , G02F1/1362
Abstract: 本发明公开了一种包括导电分隔件的显示面板，导电分隔件将阵列基底的共电压线连接到相对基底的共电极。导电分隔件具有条形形状，并沿着共电压线延伸。
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公开(公告)号：CN1605921A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410095950.3
申请日：2004-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F2001/134345 , G02F2001/134381
Abstract: 本发明涉及一种改良的平板液晶显示器(LCD)。在一个实施例中，改良的LCD包括完全填充彩色滤光器阵列和薄膜晶体管(TFT)阵列之间的间隙的液晶层。TFT阵列包括包含有一个或多个像素区的衬底。每个像素区可以分成至少两个像素子区。配置每个像素子区以使其具有与其配对物不同的电场，这样两个子区内的相互补偿就会降低伽马曲线的变形，并且提高平板显示器的横向可视性。在一个实施例中，第一像素电极形成在至少两个像素子区的第一个中；第二像素电极形成在至少两个像素子区的第二个中。
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公开(公告)号：CN101470288B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200810086826.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84 , G06F3/041
CPC classification number: G02F1/1337 , G02F1/13338 , G02F2001/13398 , G06F3/045
Abstract: 本发明公开了一种显示面板及其制造方法。该显示面板包括：第一基底；触摸分隔件，形成在第一基底上；共电极，形成在触摸分隔件上；第二基底，与第一基底相对；感测电极，在第二基底上，面向触摸分隔件；取向层，在感测电极或触摸分隔件上，其中，取向层的厚度等于或小于
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公开(公告)号：CN1704829A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510074896.9
申请日：2005-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F2001/134345 , G02F2001/134354 , H01L27/1255
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管显示面板，其包括绝缘基片；第一信号线，形成于绝缘基片上；第二信号线，与第一信号线绝缘交叉；第一像素电极，在第一信号线和第二信号线交叉限定的各像素区域形成；薄膜晶体管，第一信号线、第二信号线及第一像素电极分别与三端子连接；第二像素电极，各像素区域形成与第一像素电极电容性结合的至少一个以上第二像素；结合电极，与第一像素电极连接；以及结合辅助电极，与第二像素电极连接，并且与结合电极重叠形成结合电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1603929B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410095145.0
申请日：2004-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F1/1393
Abstract: 本发明披露了一种用于LCD的薄膜晶体管阵列板和带有该阵列板的LCD。薄膜晶体管阵列板包括信号线，形成在衬底上；和第二信号线，具有至少一弯曲部分，形成在衬底上。像素区由第一信号线和第二信号线限定出，第一像素电极和第二像素电极设置在像素区中。像素区具有弯曲形状，第一像素电极耦合到薄膜晶体管，第二像素电极耦合到第一像素电极。
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公开(公告)号：CN100543561C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200410048712.7
申请日：2004-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/1393
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括在绝缘基片上形成的栅极线；与栅极线绝缘交叉的数据线；在每个栅极线和数据线交叉限定的像素区域上形成的第一像素电极；三端子分别与栅极线、数据线及第一像素电极连接的第一薄膜晶体管；在每个像素区域上形成，并与第一像素电极连接的耦合电极重叠、与第一像素电极电容性耦合的第二像素电极的液晶显示器。第二像素电极通过第二薄膜晶体管与存储电极线进行电连接，对共同电极形成比第一像素电极电压高的电压。这时，第一像素电极具有比第二像素电极宽的面积，低电压与高电压比率为0.50-0.95。因此，可以得到提高侧面可视性的宽视角液晶显示器，同时可以确保良好的纵横比和透射比。
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公开(公告)号：CN1603929A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410095145.0
申请日：2004-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F1/1393
Abstract: 本发明披露了一种用于LCD的薄膜晶体管阵列板和带有该阵列板的LCD。薄膜晶体管阵列板包括信号线，形成在衬底上；和第二信号线，具有至少一弯曲部分，形成在衬底上。像素区由第一信号线和第二信号线限定出，第一像素电极和第二像素电极设置在像素区中。像素区具有弯曲形状，第一像素电极耦合到薄膜晶体管，第二像素电极耦合到第一像素电极。
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公开(公告)号：CN101470288A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810086826.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1333 , G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84 , G06F3/041
CPC classification number: G02F1/1337 , G02F1/13338 , G02F2001/13398 , G06F3/045
Abstract: 本发明公开了一种显示面板及其制造方法。该显示面板包括：第一基底；触摸分隔件，形成在第一基底上；共电极，形成在触摸分隔件上；第二基底，与第一基底相对；感测电极，在第二基底上，面向触摸分隔件；取向层，在感测电极或触摸分隔件上，其中，取向层的厚度等于或小于500。
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公开(公告)号：CN100465745C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200510074896.9
申请日：2005-06-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/136213 , G02F2001/134345 , G02F2001/134354 , H01L27/1255
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管显示面板，其包括绝缘基片；第一信号线，形成于绝缘基片上；第二信号线，与第一信号线绝缘交叉；第一像素电极，在第一信号线和第二信号线交叉限定的各像素区域形成；薄膜晶体管，第一信号线、第二信号线及第一像素电极分别与三端子连接；第二像素电极，各像素区域形成与第一像素电极电容性结合的至少一个以上第二像素；结合电极，与第一像素电极连接；以及结合辅助电极，与第二像素电极连接，并且与结合电极重叠形成结合电容。
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