公开(公告)号：CN117855249A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311280469.0

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林善美 ,  全众源

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  B82Y40/00

Abstract: 半导体器件可以包括：基板，包括第一行区域和第二行区域，其中基板的表面设置在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上；第一纳米片结构，在第一行区域上并且包括设置在第一方向上的有源区段，并且有源区段在第二方向上具有不同的宽度；以及在第二行区域上的第二纳米片结构，第二纳米片结构在第二方向上与第一纳米片结构间隔开，并且其中第二纳米片结构在第一方向上与第一纳米片结构对称。在平面图中，在第一纳米片结构和第二纳米片结构中的每个中，有源区段中的相邻有源区段之间的过渡区域相对于第一方向具有第一角度和第二角度中的一个。

公开(公告)号：CN116995076A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310472914.7

申请日：2023-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵德汉 ,  严命允 ,  李留利 ,  林善美 ,  田俊秀

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 一种半导体器件包括：元件隔离结构，具有彼此相反的第一侧壁和第二侧壁；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第一鳍形图案；与第一侧壁接触并在第二方向上延伸的第二鳍形图案；在第一鳍形图案上的第一栅电极；在第一和第二鳍形图案上并在第一栅电极和元件隔离结构之间延伸的第一源极/漏极接触；以及在第一源极/漏极接触上并连接到第一源极/漏极接触的布线结构，其中第一源极/漏极接触包括与第一和第二鳍形图案交叉的下接触区、从下接触区突出的上接触区、以及虚设接触区，布线结构接触上接触区而不接触虚设接触区。