公开(公告)号：CN103996711B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201410035614.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  松田司 ,  福留秀畅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一鳍，在衬底上；第一栅电极，形成在衬底上以与第一鳍交叉；第一抬高源/漏极，在第一鳍上且在第一栅电极的两侧；以及第一金属合金层，在第一抬高源/漏极的上表面和侧壁上。

公开(公告)号：CN103996711A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410035614.3

申请日：2014-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  松田司 ,  福留秀畅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一鳍，在衬底上；第一栅电极，形成在衬底上以与第一鳍交叉；第一抬高源/漏极，在第一鳍上且在第一栅电极的两侧；以及第一金属合金层，在第一抬高源/漏极的上表面和侧壁上。