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发明公开
半导体存储器装置及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN112310109A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010724423.3

申请日：2020-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志荣 , 梁宇成 , 李重锡 , 李炳镇

IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L23/528 , H01L21/768

Abstract: 提供一种半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括：电极结构，每个电极结构包括彼此堆叠在衬底上的水平电极；位于电极结构之间并且沿着水平电极延伸的竖直电极；在电极结构的端部处连接到水平电极的第一接触件；连接到竖直电极的上部的第二接触件；以及，连接到第二接触件的顶表面的第一互连结构。第一互连结构包括第一子互连线和第二子互连线。第一子互连线在第一方向上延伸并且接触第二接触件的顶表面。第二子互连线在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且接触第一子互连线。

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