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公开(公告)号：CN113948527A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110579621.X
申请日：2021-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种三维半导体存储器件包括：外围电路结构，所述外围电路结构包括位于半导体衬底上的外围电路和连接到所述外围电路的定位焊盘；电极结构，所述电极结构位于所述外围电路结构上，所述电极结构包括垂直堆叠的电极；平坦化电介质层，所述平坦化电介质层覆盖所述电极结构；外围贯通插塞，所述外围贯通插塞与所述电极结构间隔开，所述外围贯通插塞穿透所述平坦化电介质层以连接到所述定位焊盘；导线，所述导线通过接触插塞分别连接到所述外围贯通插塞；以及至少一个虚设贯通插塞，所述至少一个虚设贯通插塞与所述外围贯通插塞中的第一外围贯通插塞相邻，所述至少一个虚设贯通插塞穿透所述平坦化电介质层并且与所述导线绝缘。
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