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公开(公告)号:CN117412596A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202310720795.2
申请日:2023-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种包括集成电路器件的装置和系统。在一些实施例中,集成电路器件包括:半导体衬底,包括存储单元区和连接区;栅堆叠,包括多个字线栅极层和多个绝缘层,并在连接区中具有阶梯结构;字线切割区,穿过存储单元区和连接区中的多个字线栅极层并沿第三方向延伸;多个第一沟道结构,设置在存储单元区上;串选择线栅极层,设置在存储单元区中的栅堆叠上;多个第二沟道结构,穿过串选择线栅极层;以及串选择线切割区,穿过串选择线栅极层。