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公开(公告)号：CN118116940A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311168005.0
申请日：2023-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N25/76
Abstract: 发明构思提供了其中降低了贯通电极与垫之间的未对准并且降低了相邻垫之间的耦合噪声的三层堆叠式图像传感器及其制造方法。三层堆叠式图像传感器包括：上部芯片，包括以二维阵列结构布置的像素和第一布线层，每个像素包括光电二极管、传输栅极和浮置扩散区域；中间芯片，包括与每个像素对应的源极跟随器栅极、选择栅极和复位栅极、第一硅层以及第二布线层；以及下部芯片，包括图像传感器处理器、第三布线层和第二硅层，从第二布线层延伸穿过第一硅层的贯通电极的上部部分的剖面具有倒梯形结构。
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