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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN113053911A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011558824.2

申请日：2020-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 , 金振赫 , 成政泰 , 申重植 , 李星炯

IPC: H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括：第一基板，包括单元区域和围绕单元区域的延伸区域；在第一基板上的公共源极板；在公共源极板上的支撑件；第一堆叠结构，在支撑件上并包括交替地堆叠的第一绝缘膜和第一栅电极；沟道孔，在单元区域上穿透第一堆叠结构、支撑件和公共源极板；以及电极隔离沟槽，在单元区域上在第一方向上与沟道孔间隔开，在第二方向上延伸，并穿透第一堆叠结构、支撑件和公共源极板，其中在与电极隔离沟槽相邻的第一区域中的支撑件的第一厚度大于形成在电极隔离沟槽与沟道孔之间的第二区域中的支撑件的第二厚度。

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