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发明公开
具有掩埋栅极的半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN114156270A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111043036.4

申请日：2021-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金熙中 , 权玟禹 , 韩相然 , 金尚元 , 金俊秀 , 申铉振 , 李殷奎

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：包括有源区的衬底、设置在衬底中的栅极沟槽中的栅极结构、设置在衬底上并在栅极结构的一侧电连接到有源区的位线以及设置在位线上并在栅极结构的另一侧电连接到有源区的电容器。栅极结构包括：设置在栅极沟槽的底表面和内侧表面上的栅极电介质层、在栅极沟槽的下部中设置在栅极电介质层上的导电层、在导电层的上表面上设置在栅极电介质层上的侧壁绝缘层、设置在导电层上的石墨烯层以及设置在石墨烯层上在侧壁绝缘层之间的掩埋绝缘层。

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