公开(公告)号：CN117641915A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311087691.9

申请日：2023-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承允 ,  金斗铉 ,  金贤珠 ,  金希锡 ,  朴芮珍 ,  沈载煌 ,  安钟善

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底上的下电路图案；下电路图案上的共源极板(CSP)；栅电极结构，其包括在CSP上沿基本上垂直于衬底的上表面的第一方向彼此间隔开的栅电极，栅电极中的每一个在基本上平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；第一绝缘图案结构，其位于CSP的在第二方向上与栅电极结构相邻的部分上；第一划分图案，其在CSP上沿第三方向延伸，第三方向基本上平行于衬底的上表面并且与第二方向交叉，第一划分图案延伸穿过栅电极结构的与第一绝缘图案结构相邻的部分并且在第二方向上分离栅电极结构。

公开(公告)号：CN118488709A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410097746.2

申请日：2024-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金希锡 ,  金承允 ,  朴芮珍 ,  白寅焕 ,  安钟善

IPC: H10B43/20 ,  H01L29/10 ,  H01L23/528

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：下电路图案，设置在基底上；公共源极板(CSP)，设置在下电路图案上；沟道连接图案，设置在CSP上；牺牲层结构，设置在CSP上并且与沟道连接图案间隔开；支撑层，设置在沟道连接图案和牺牲层结构上；第一栅电极结构和第二栅电极结构，包括堆叠在支撑层上并且彼此间隔开的栅电极；第一沟道，设置在CSP上，其中，第一沟道延伸穿过第一栅电极结构、支撑层和沟道连接图案；以及接触插塞，延伸穿过第二栅电极结构、支撑层、牺牲层结构和CSP，其中，接触插塞电连接到下电路图案。

公开(公告)号：CN117677200A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311144112.X

申请日：2023-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安钟善 ,  金承允 ,  金希锡 ,  朴芮珍 ,  沈载煌

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50

Abstract: 一种竖直存储器件，包括：下焊盘图案，设置在衬底上；单元堆叠结构，设置在下焊盘图案上并包括第一绝缘层和栅极图案，其中，单元堆叠结构具有阶梯形状；贯通单元接触部，包括第一贯通部分和第一突起，其中，第一贯通部分穿过单元堆叠结构的一部分，并且其中，第一突起从第一贯通部分突出并接触栅极图案中的最上面栅极图案；以及第一绝缘图案，至少部分地围绕第一贯通部分的在第一突起下方的侧壁，其中，从第一贯通部分起，在水平方向上第一绝缘图案比第一突起长，并且其中，第一突起的竖直厚度大于最上面栅极图案的竖直厚度。