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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102081109A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010566729.7
申请日：2010-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R31/2889
Abstract: 本发明提供一种探针卡和包括探针卡的测试装置。该探针卡和包括探针卡的测试装置用于提高测试可靠性。探针卡可以包括连接第一输入端子和第一输入探针引脚的第一输入端子微机电系统(MEMS)开关，其中，第一输入端子MEMS开关包括接收操作信号的控制部分以及连接第一输入端子和第一输入探针引脚的连接部分。探针卡可以进一步包括连接第一输出端子和第一输出探针引脚的第一输出端子MEMS开关，其中，第一输出端子MEMS开关包括接收操作信号的控制部分以及连接第一输出端子和第一输出探针引脚的连接部分。
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公开(公告)号：CN101373632A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810146351.8
申请日：2008-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 提供一种阻抗可变存储器件及其操作方法。该阻抗可变存储器件具有顶部电极与底部电极之间的相变材料。在操作阻抗可变存储器件的方法中，以从顶部电极至底部电极的方向施加写电流，且以从底部电极至顶部电极的方向施加读电流。通过施加写电流编程相变材料，通过施加读电流抑制相变材料的阻抗漂移。
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公开(公告)号：CN101667622A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910205722.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/126 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1641 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种制造相变存储器器件的等离子体处理方法以及由此制造的存储器器件。相变存储器器件可以通过以下步骤来制造：在衬底上形成第一电极以及在该第一电极上形成硫族化物材料。对硫族化物材料充分地进行等离子体处理，以对整个该硫族化物材料引入等离子体物质。第二电极形成在该硫族化物材料上。对相关器件也进行了描述。
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公开(公告)号：CN101373632B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810146351.8
申请日：2008-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 本发明提供一种阻抗可变存储器件及其操作方法。该阻抗可变存储器件具有顶部电极与底部电极之间的相变材料。在操作阻抗可变存储器件的方法中，以从顶部电极至底部电极的方向施加写电流，且以从底部电极至顶部电极的方向施加读电流。通过施加写电流编程相变材料，通过施加读电流抑制相变材料的阻抗漂移。
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公开(公告)号：CN102004197A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010271538.8
申请日：2010-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0004 , G11C13/0007
Abstract: 一种测量电阻存储器器件中的存储器单元的电阻的方法可以通过如下提供：把数据写脉冲施加到所述电阻存储器器件的被选择的单元；在自施加所述写数据脉冲的时刻测量的一段延迟时间以后，把电阻读脉冲施加到所述被选择的单元；测量响应于当把所述电阻读脉冲施加到所述被选择的单元时输出的脉冲波形在所述单元的下降电压；使用所述下降电压和耦合到所述单元的测试设备的内阻测量通过所述单元的总电流；以及，使用所述总电流和所述电阻读脉冲的电压确定所述电阻存储器器件的电阻。
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