公开(公告)号：CN118280822A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311765917.6

申请日：2023-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金康仁 ,  金时年 ,  朴志皓 ,  孙朠佑 ,  李知恩 ,  曹永丞

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/308

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在基板上形成有源图案；在基板上顺序形成基底掩模、第一掩模层、第一盖层、第二掩模层、第二盖层、第三掩模层、第三盖层、第四掩模层和第四盖层；形成第一间隔物；形成第二间隔物；形成第三间隔物；以及使用第三间隔物作为掩模来图案化第一掩模层和第一盖层。形成第三间隔物可以包括形成间隔物层以完全填充图案化的第二掩模层的图案的侧壁之间的空间。

公开(公告)号：CN114373779A

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111031374.6

申请日：2021-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志皓

IPC: H01L27/22 ,  G11C11/34

Abstract: 一种半导体器件包括在第一方向上延伸的导电图案、在导电图案上的磁隧道结图案和在磁隧道结图案上的电容器。磁隧道结图案在导电图案和电容之间，磁隧道结图案连接到电容器，导电图案配置为向磁隧道结图案施加自旋轨道矩。