公开(公告)号：CN110872473A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910813838.5

申请日：2019-08-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 朴尚铉 ,  李晓山 ,  许元己 ,  金廷润 ,  黄晙夏 ,  权昌吉 ,  李性表

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/306

Abstract: 本申请提供一种用于化学机械抛光工艺的浆料组合物，包括：约0.1％的重量到约10％的重量的抛光颗粒；约0.001％的重量到约1％的重量的胺化合物；约0.001％的重量到约1％的重量的第一阳离子化合物，其中，所述第一阳离子化合物是氨基酸；约0.001％的重量到约1％的重量的第二阳离子化合物，其中，所述第二阳离子化合物是有机酸；以及约1％的重量到约5％的重量的非离子多元醇，其中，所述非离子多元醇包括至少两个羟基。

公开(公告)号：CN108690505A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810269562.4

申请日：2018-03-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  凯斯科技股份有限公司

Inventor： 文斗植 ,  朴尚铉 ,  尹普彦 ,  金镐永 ,  朴世廷 ,  李载鹤 ,  黄珍明

IPC: C09G1/02

Abstract: 提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，所述浆料组合物包括：陶瓷抛光颗粒；分散剂；pH控制剂；以及与氮化硅具有亲和性的添加剂。

公开(公告)号：CN110729278B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN201910588532.4

申请日：2019-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李暻泰 ,  崔承勋 ,  郭玟燦 ,  具滋应 ,  朴尚铉

IPC: H01L23/544 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 一种半导体器件可以包括：在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上的栅电极结构；覆盖栅电极结构的上表面的封盖结构，封盖结构包括封盖图案以及覆盖封盖图案的下表面和侧壁的第一蚀刻停止图案；在衬底的第二区域上的对准标记，对准标记包括绝缘材料；以及在衬底的第二区域上的填充结构，填充结构覆盖对准标记的侧壁，并且包括第一填充图案、覆盖第一填充图案的下表面和侧壁的第二填充图案以及覆盖第二填充图案的下表面和侧壁的第二蚀刻停止图案。

公开(公告)号：CN110729278A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910588532.4

申请日：2019-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李暻泰 ,  崔承勋 ,  郭玟燦 ,  具滋应 ,  朴尚铉

IPC: H01L23/544 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件可以包括：在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上的栅电极结构；覆盖栅电极结构的上表面的封盖结构，封盖结构包括封盖图案以及覆盖封盖图案的下表面和侧壁的第一蚀刻停止图案；在衬底的第二区域上的对准标记，对准标记包括绝缘材料；以及在衬底的第二区域上的填充结构，填充结构覆盖对准标记的侧壁，并且包括第一填充图案、覆盖第一填充图案的下表面和侧壁的第二填充图案以及覆盖第二填充图案的下表面和侧壁的第二蚀刻停止图案。