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发明公开
半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统审中-实审

公开(公告)号：CN114664844A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111529275.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李慧美 , 高圣才 , 宋炫周 , 朴宣重 , 朴汉容

IPC: H01L27/11568 , H01L27/11575 , H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括：在基板上的外围电路层；在基板上的下堆叠和上堆叠；停止物层，在上堆叠上并包括绝缘材料；在停止物层上的上模具层；延伸穿过下堆叠、上堆叠、停止物层和上模具层的单元沟道结构，单元沟道结构的侧表面接触停止物层；第一覆盖层和第二覆盖层；字线分隔结构，包括朝向停止物层突出的突起；以及连接到单元沟道结构的位线接触插塞，其中停止物层的内部侧表面从上堆叠的内部侧表面偏移并与字线分隔结构接触。

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