公开(公告)号：CN100505100C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200510052527.X

申请日：2005-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镐 ,  李升根

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621

Abstract: 公开了一种多级闪存设备和编程方法。该多级闪存设备包括：多个存储单元，每个单元存储指示多于两个可能状态的电荷量；以及连接到存储单元的控制电路。该控制电路将编程电压与校验电压交替地施加到所述存储单元，直到所有单元处于期望的状态，并且施加至少一个额外的编程电压到处于最高状态的单元，而不施加校验电压。该方法包括：施加至少一个编程脉冲到单元；校验每个单元已达到期望的状态；选择被编程到最高状态的单元；并施加至少一个额外的编程脉冲到所选择的单元，而不进一步校验这些单元的状态。

公开(公告)号：CN1661727A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510052527.X

申请日：2005-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镐 ,  李升根

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/10 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621

Abstract: 公开了一种多级闪存设备和编程方法。该多级闪存设备包括：多个存储单元，每个单元存储指示多于两个可能状态的电荷量；以及连接到存储单元的控制电路。该控制电路将编程电压与校验电压交替地施加到所述存储单元，直到所有单元处于期望的状态，并且施加至少一个额外的编程电压到处于最高状态的单元，而不施加校验电压。该方法包括：施加至少一个编程脉冲到单元；校验每个单元已达到期望的状态；选择被编程到最高状态的单元；并施加至少一个额外的编程脉冲到所选择的单元，而不进一步校验这些单元的状态。