公开(公告)号：CN109841624B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN201811430052.7

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文浚硕 ,  孔东植 ,  柳成原 ,  朱姬宣 ,  蔡教锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；器件隔离膜，限定衬底的有源区，栅极沟槽在有源区中延伸；栅极绝缘膜，沿着栅极沟槽的侧面和底部设置；栅电极，设置在栅极沟槽中的栅极绝缘膜上，并且具有第一部、第一部上的第二部以及第二部上的第三部；第一阻挡膜图案，介于栅电极的第一部与栅极绝缘膜之间；第二阻挡膜图案，介于栅电极的第二部与栅极绝缘膜之间；以及第三阻挡膜图案，介于栅电极的第三部与栅极绝缘膜之间。第一阻挡膜图案的功函数大于第二阻挡膜图案的功函数并且低于第三阻挡膜图案的功函数。

公开(公告)号：CN109841624A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811430052.7

申请日：2018-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文浚硕 ,  孔东植 ,  柳成原 ,  朱姬宣 ,  蔡教锡

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；器件隔离膜，限定衬底的有源区，栅极沟槽在有源区中延伸；栅极绝缘膜，沿着栅极沟槽的侧面和底部设置；栅电极，设置在栅极沟槽中的栅极绝缘膜上，并且具有第一部、第一部上的第二部以及第二部上的第三部；第一阻挡膜图案，介于栅电极的第一部与栅极绝缘膜之间；第二阻挡膜图案，介于栅电极的第二部与栅极绝缘膜之间；以及第三阻挡膜图案，介于栅电极的第三部与栅极绝缘膜之间。第一阻挡膜图案的功函数大于第二阻挡膜图案的功函数并且低于第三阻挡膜图案的功函数。