公开(公告)号：CN112397455A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010371907.4

申请日：2020-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  明福植

IPC: H01L23/055 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件可以包括封装基底、位于封装基底上并在其中具有腔的支撑结构以及在腔中位于封装基底上的至少一个第一半导体芯片。支撑结构可以具有面向腔的第一内侧壁、第一顶表面以及连接第一内侧壁和第一顶表面的第一倾斜表面。第一倾斜表面可以相对于所述至少一个第一半导体芯片的顶表面倾斜。

公开(公告)号：CN109979924B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201811376402.6

申请日：2018-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉澈 ,  明福植 ,  朴玉敬

IPC: H10B80/00

Abstract: 本公开提供了插入基底和半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体封装件，包括第一基底和安装在第一基底上的下半导体芯片；第二半导体封装件，堆叠在第一半导体封装件上并包括第二基底和堆叠在第二基底上的上半导体芯片；以及插入基底，置于第一半导体封装件与第二半导体封装件之间并具有从面向下半导体芯片的下表面凹陷的凹部，其中，插入基底包括在与下半导体芯片叠置的区域中设置为与凹部相邻的虚设布线层，并且不向虚设布线层施加电信号。

公开(公告)号：CN109979924A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811376402.6

申请日：2018-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉澈 ,  明福植 ,  朴玉敬

IPC: H01L25/065

Abstract: 本公开提供了插入基底和半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一半导体封装件，包括第一基底和安装在第一基底上的下半导体芯片；第二半导体封装件，堆叠在第一半导体封装件上并包括第二基底和堆叠在第二基底上的上半导体芯片；以及插入基底，置于第一半导体封装件与第二半导体封装件之间并具有从面向下半导体芯片的下表面凹陷的凹部，其中，插入基底包括在与下半导体芯片叠置的区域中设置为与凹部相邻的虚设布线层，并且不向虚设布线层施加电信号。

公开(公告)号：CN112397455B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202010371907.4

申请日：2020-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  明福植

IPC: H01L23/055 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件可以包括封装基底、位于封装基底上并在其中具有腔的支撑结构以及在腔中位于封装基底上的至少一个第一半导体芯片。支撑结构可以具有面向腔的第一内侧壁、第一顶表面以及连接第一内侧壁和第一顶表面的第一倾斜表面。第一倾斜表面可以相对于所述至少一个第一半导体芯片的顶表面倾斜。