公开(公告)号：CN109841622B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN201810936865.7

申请日：2018-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟泛

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。所述半导体存储器件包括位于衬底上的第一电极、位于衬底上的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的介电层结构以及位于介电层结构与第一电极之间的结晶诱导层。介电层结构包括第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一介电材料，第二介电层包括第二介电材料。

公开(公告)号：CN109841622A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201810936865.7

申请日：2018-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟泛

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。所述半导体存储器件包括位于衬底上的第一电极、位于衬底上的第二电极、位于第一电极与第二电极之间的介电层结构以及位于介电层结构与第一电极之间的结晶诱导层。介电层结构包括第一介电层和位于第一介电层上的第二介电层，第一介电层包括第一介电材料，第二介电层包括第二介电材料。