公开(公告)号：CN111668245B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202010149238.6

申请日：2020-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  权容铉 ,  金永灿 ,  金世英 ,  徐圣永 ,  林茂燮 ,  郑泰燮 ,  崔成浩

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/76

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。

公开(公告)号：CN108242449A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711346652.0

申请日：2017-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李志源 ,  赵鼎镇 ,  林茂燮 ,  徐圣永 ,  李海源

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器及包括其的电子装置。一种图像传感器包括：包含共用像素的像素区域，其中共用像素的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管；以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域，其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组，其中，当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时，对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。

公开(公告)号：CN108242449B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201711346652.0

申请日：2017-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李志源 ,  赵鼎镇 ,  林茂燮 ,  徐圣永 ,  李海源

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器及包括其的电子装置。一种图像传感器包括：包含共用像素的像素区域，其中共用像素的每个包括组成组并共用浮置扩散(FD)区域的至少两个光电二极管；以及与像素区域相邻的晶体管(TR)区域，其中TR区域包括对应于共用像素的晶体管组，其中，当第一共用像素和第二共用像素在第一方向上彼此相邻布置时，对应于第一共用像素的第一TR组和对应于第二共用像素的第二TR组共用第一选择TR的源极区域。

公开(公告)号：CN111668245A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010149238.6

申请日：2020-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  权容铉 ,  金永灿 ,  金世英 ,  徐圣永 ,  林茂燮 ,  郑泰燮 ,  崔成浩

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。