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公开(公告)号:CN112054018A
公开(公告)日:2020-12-08
申请号:CN202010158008.6
申请日:2020-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/367
Abstract: 本发明可提供一种半导体封装件,其包括:半导体芯片;中介层,在所述半导体芯片上;以及模塑层,覆盖所述半导体芯片的至少一部分及所述中介层的至少一部分。所述中介层包括中介层衬底及穿透所述中介层衬底并与所述半导体芯片电绝缘的热耗散图案。所述热耗散图案包括设置在所述中介层衬底中的贯穿电极以及设置在所述中介层衬底的上表面上并连接到所述贯穿电极的上接垫。所述模塑层覆盖所述中介层衬底的上表面及所述上接垫的侧壁的至少一部分。所述上接垫的上表面的至少一部分不由所述模塑层覆盖。
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公开(公告)号:CN117917928A
公开(公告)日:2024-04-23
申请号:CN202311349604.2
申请日:2023-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/488
Abstract: 提供一种半导体封装件和一种存储器装置。半导体封装件包括:封装基板,其包括第一焊盘;第一存储器装置,其布置在封装基板上并且包括在竖直方向上层叠的第一半导体芯片和第二半导体芯片;以及第一芯片连接构件,其将第一半导体芯片电连接到封装基板。第一半导体芯片包括:第一单元结构;第一外围电路结构;第一接合焊盘;以及第一输入/输出焊盘,其通过第一芯片连接构件电连接到封装基板的第一焊盘。第二半导体芯片包括:第二单元结构;以及第二接合焊盘,其连接到第一接合焊盘。第一外围电路结构的一部分从第二半导体芯片的侧壁突出,以不与第二半导体芯片交叠。
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公开(公告)号:CN114156256A
公开(公告)日:2022-03-08
申请号:CN202111033649.X
申请日:2021-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 张艾妮
IPC: H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 一种半导体封装,包括:基底衬底;插入衬底,包括具有面向基底衬底的第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体衬底、以及在第一表面的至少一部分上的钝化层;多个连接凸块,位于基底衬底与插入衬底之间;底部填充树脂,位于基底衬底与插入衬底之间的空间中;以及第一半导体芯片和第二半导体芯片,在插入衬底上。插入衬底具有其中包括多个连接凸块的第一区域以及与第一区域的外围相邻的第二区域和第三区域,并且钝化层在第一区域和第二区域中并且包括在第二区域中的第一压纹图案。
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