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公开(公告)号：CN117954427A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311394836.X
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H10B80/00 , H01L25/065
Abstract: 提供了一种半导体封装，该半导体封装包括：第一再分布结构，包括第一再分布图案和第一再分布绝缘层，其中第一再分布图案包括在第一再分布绝缘层内在垂直方向上延伸的第一再分布通路；第二再分布结构，在第一再分布结构上并包括第二再分布图案和第二再分布绝缘层，其中第二再分布图案包括在第二再分布绝缘层的下表面处的下再分布焊盘；第一半导体芯片，在第二再分布结构上；以及第二半导体芯片，在第一半导体芯片上。第一再分布绝缘层的上表面与第二再分布绝缘层的下表面接触，第一再分布结构的第一再分布通路与第二再分布结构的下再分布焊盘接触。
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