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公开(公告)号：CN101339776A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810128288.5
申请日：2008-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/59627 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 提供一种磁记录介质、采用磁记录介质的硬盘驱动器(HDD)和测量HDD的写读(WR)偏移的方法。磁记录介质包括：磁盘基底和形成在磁盘基底的一个或者两个表面上的磁记录层，其中所述磁记录层包括：至少一个形成图案为多个数据磁道的图案区域，其中至少一个图案区域是由图案的磁性物质形成；和至少一个由连续磁性物质形成的连续区域，其中连续区域用于测量WR偏移。相应地，采用磁记录介质的HDD可以纠正磁头的WR偏移，而无需大的修改。
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公开(公告)号：CN101241754A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710303536.0
申请日：2007-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0808 , Y10S977/933
Abstract: 本发明提供具有沟槽的磁畴型信息存储器件及制造该信息存储器件的方法。本发明的信息存储器件包括衬底上的磁性层，该磁性层具有多个磁畴和一个用于移动磁畴壁的功率单元。磁性层平行于衬底，且磁性层中的多个沟槽垂直于衬底。与沟槽相对应的磁性层的下表面的部分向下突出。
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公开(公告)号：CN101178929B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200710147871.6
申请日：2007-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及操作该数据存储装置的方法。该数据存储装置包括：第一磁层，用于写数据，并具有在彼此相反的方向磁化的两个磁畴；第二磁层，用于存储数据，并形成于第一磁层的至少一侧。该数据存储装置可还包括：数据记录装置，连接至第一磁层的两端以及第二磁层的与第一磁层不相邻的一端；读磁头，形成为与第二磁层的与第一磁层不相邻的所述一端相距预定距离；电流检测器，连接至读磁头和数据记录装置。
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公开(公告)号：CN101299347B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200710185795.8
申请日：2007-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/00 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置，以及制造和操作该信息存储装置的方法。该信息存储装置包括具有磁畴的存储轨道和用于将数据记录到存储轨道的写头，其中写头包括：第一磁性层和第二磁性层，该第二磁性层形成为覆盖第一磁性层的一部分并具有比第一磁性层更小的磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN101299347A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200710185795.8
申请日：2007-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/00 , G11B2005/0002 , G11C11/14 , G11C19/0808 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供了一种使用磁畴壁移动的信息存储装置，以及制造和操作该信息存储装置的方法。该信息存储装置包括具有磁畴的存储轨道和用于将数据记录到存储轨道的写头，其中写头包括：第一磁性层和第二磁性层，该第二磁性层形成为覆盖第一磁性层的一部分并具有比第一磁性层更小的磁各向异性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101271174B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810085435.5
申请日：2008-03-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种金属波导及其制造方法、光传输模块以及热辅助磁记录头。所述金属波导包括金属体，该金属体由导电金属形成并且包括穿过该金属体形成的孔，所述孔具有输入端和输出端。所述孔具有：弯曲部分，用于改变所述输入端和输出端之间的光传播方向；锥形部分，位于所述弯曲部分和所述输出端之间。所述锥形部分的宽度朝着所述输出端逐渐减小，并且所述孔通过形成在所述金属体的内表面上的脊而形成为C形。
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公开(公告)号：CN101241754B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200710303536.0
申请日：2007-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C19/0808 , Y10S977/933
Abstract: 本发明提供具有沟槽的磁畴型信息存储器件及制造该信息存储器件的方法。本发明的信息存储器件包括衬底上的磁性层，该磁性层具有多个磁畴和一个用于移动磁畴壁的功率单元。磁性层平行于衬底，且磁性层中的多个沟槽垂直于衬底。与沟槽相对应的磁性层的下表面的部分向下突出。
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公开(公告)号：CN101377618A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810130342.X
申请日：2008-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统包括：介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂；第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线。
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公开(公告)号：CN101377618B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200810130342.X
申请日：2008-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种双面压印光刻系统，该双面压印光刻系统包括：介质支撑单元，支撑介质，其中，所述介质的两个表面涂覆有紫外(UV)硬化树脂；第一模具支撑单元和第二模具支撑单元，分别支撑第一模具和第二模具，并分别设置在介质支撑单元之上和之下；竖直运动装置，使介质支撑单元、第一模具支撑单元和第二模具支撑单元中的至少一个竖直地运动；第一UV照射装置，安装在第一模具支撑单元之上，以照射UV光线；第二UV照射装置，安装在第二模具支撑单元之下，以照射UV光线。
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公开(公告)号：CN101188271B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200710193402.8
申请日：2007-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/15 , G11C19/0841
Abstract: 本发明提供了一种利用磁畴壁移动的数据存储装置及形成该装置的方法，该数据存储装置可包括具有多个磁畴的第一磁性层。第二磁性层可以连接到第一磁性层，并且连接层可以置于第一磁性层和第二磁性层之间。电阻磁性层可以置于第一磁性层和连接层之间以及第二磁性层和连接层之间。因此，当电流被提供到该数据存储装置以移动磁畴壁时，可以减小或防止在磁性层之间的连接中的电流的泄漏，从而节约能量。
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