公开(公告)号：CN103066075A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210321795.7

申请日：2012-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李普英 ,  崔钟完 ,  李明范

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/764 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。所述制造方法包括在衬底上的多个图案之间形成彼此相邻的沟槽；在沟槽中形成第一牺牲层；在多个图案和第一牺牲层上形成具有多个孔的第一多孔绝缘层；以及通过第一多孔绝缘层的多个孔去除第一牺牲层，以在多个图案之间和第一多孔绝缘层下方形成第一空气隙。