公开(公告)号：CN108511447B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201810163667.1

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹琇钰 ,  尹壮根 ,  任峻成 ,  黄盛珉

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11563

Abstract: 一种垂直存储器件包括：在衬底的外围电路区域上的栅极结构，衬底包括单元区域和外围电路区域，栅极结构包括第一栅电极；在衬底的单元区域上在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上分别顺序地设置在多个层处的第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极；在衬底的单元区域上延伸穿过第二栅电极的第一外延层；在第一外延层上在垂直方向上延伸穿过第三栅电极和第四栅电极的沟道；以及在衬底的外围电路区域的邻近于栅极结构的部分上的第二外延层。

公开(公告)号：CN108511447A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810163667.1

申请日：2018-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹琇钰 ,  尹壮根 ,  任峻成 ,  黄盛珉

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11563

CPC classification number: H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11563

Abstract: 一种垂直存储器件包括：在衬底的外围电路区域上的栅极结构，衬底包括单元区域和外围电路区域，栅极结构包括第一栅电极；在衬底的单元区域上在基本上垂直于衬底的上表面的垂直方向上分别顺序地设置在多个层处的第二栅电极、第三栅电极和第四栅电极；在衬底的单元区域上延伸穿过第二栅电极的第一外延层；在第一外延层上在垂直方向上延伸穿过第三栅电极和第四栅电极的沟道；以及在衬底的外围电路区域的邻近于栅极结构的部分上的第二外延层。