公开(公告)号：CN119370883A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411004299.8

申请日：2024-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵智玄 ,  尹多恩 ,  尹园植 ,  李在镕 ,  张豪根 ,  河炫同 ,  韩用锡

IPC: C01G9/00 ,  H10K50/115 ,  C01B19/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 半导体纳米颗粒、制备半导体纳米颗粒的方法、和包括半导体纳米颗粒的电致发光器件和显示设备。制备半导体纳米颗粒的方法包括使锌前体和硫前体在第一颗粒的存在下以在预定的温度下接触在所述第一颗粒上形成含有硫化锌的半导体纳米晶体层，其中所述第一颗粒包括包含锌、硒、和任选地碲的II‑VI族化合物，或者所述第一颗粒包括包含铟和磷的III‑V族化合物。所述预定的温度包括(例如，为)大于300℃且小于或等于约380℃的温度(例如，反应温度)，并且所述硫前体包括C3(例如C9)至C50的硫醇化合物或其组合。